鉭電容資訊
鉭電容技術(shù)
AVX 軍工鉭電容系列介紹
2018-01-16 11:04:37 文章出處：avx鉭電容 作者：京瓷電子 瀏覽次數(shù)：72
創(chuàng)新器件采用七種緊湊的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項(xiàng)，包括針對(duì)關(guān)鍵的醫(yī)療和軍工/航天應(yīng)用的weibull失效率分級(jí)Vishay推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流（DCL）的鉭電容器。
在早期的醫(yī)療設(shè)備平臺(tái)中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現(xiàn)在則要求更低的直流泄漏。通過使用Vishay獨(dú)有的多陣列封裝（MAP），新的TM8器件顯著降低了直流漏電，并實(shí)現(xiàn)了更好的穩(wěn)定性。借助專利的MAP組裝技術(shù)，TM8電容器為在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)盡可能高的可靠性和效率提供了一個(gè)健全的設(shè)計(jì)。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的處理和測(cè)試。
在7種緊湊的外形尺寸內(nèi)，TM8系列提供從1UF/40V至47UF/10V的容量-電壓（CV）等級(jí)范圍。電容器很適合植入式醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)療儀器及軍工/航天系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用中對(duì)長期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應(yīng)用定制的選項(xiàng)。
Vishay鉭電容為諸多設(shè)備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如起搏器、ICD、神經(jīng)刺激器、助聽器和人工耳蝸等醫(yī)療設(shè)備；病人監(jiān)護(hù)設(shè)備、自動(dòng)給藥系統(tǒng)、成像和診斷設(shè)備等醫(yī)療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需在、GPS系統(tǒng)、傳感器及手持式便攜電子系統(tǒng)。
在早期的醫(yī)療設(shè)備平臺(tái)中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現(xiàn)在則要求更低的直流泄漏。通過使用Vishay獨(dú)有的多陣列封裝（MAP），新的TM8器件顯著降低了直流漏電，并實(shí)現(xiàn)了更好的穩(wěn)定性。借助專利的MAP組裝技術(shù)，TM8電容器為在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)盡可能高的可靠性和效率提供了一個(gè)健全的設(shè)計(jì)。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的處理和測(cè)試。
在7種緊湊的外形尺寸內(nèi)，TM8系列提供從1UF/40V至47UF/10V的容量-電壓（CV）等級(jí)范圍。電容器很適合植入式醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)療儀器及軍工/航天系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用中對(duì)長期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應(yīng)用定制的選項(xiàng)。
Vishay鉭電容為諸多設(shè)備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如起搏器、ICD、神經(jīng)刺激器、助聽器和人工耳蝸等醫(yī)療設(shè)備；病人監(jiān)護(hù)設(shè)備、自動(dòng)給藥系統(tǒng)、成像和診斷設(shè)備等醫(yī)療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需在、GPS系統(tǒng)、傳感器及手持式便攜電子系統(tǒng)。